半导体温度稳定性差的原因,另外是受多子还是少子影响?
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/10/04 03:31:54
半导体温度稳定性差的原因,另外是受多子还是少子影响?
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半导体温度稳定性差的原因,另外是受多子还是少子影响?
导致半导体性能温度稳定性差的主要原因有二:
(1)禁带宽度与温度有关(一般,随着温度的升高而变窄);
(2)少数载流子浓度与温度有关(随着温度的升高而指数式增加).
注:多数载流子浓度基本上等于掺杂浓度,在室温、全电离情况下,多数载流子浓度与温度也基本上无关;只有在低温下才有较大的关系.因此,半导体性能在低温下的不稳定性还与多数载流子浓度的变化有关.
多子
因为扩散与温度有关,半导体内是多子扩散,少子漂移
半导体禁带宽度小,受热后外层成键电子容易跃迁到激发态,半导体内部产生很多电子空穴对,成为参与导电的载流子,导电性能就提高了。所以温度稳定性差。
如果只考虑导电性,当然是多子起主要作用。
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为什么半导体温度稳定性差?
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