硅太阳能电池发电原理
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/07 17:56:29
硅太阳能电池发电原理
硅太阳能电池发电原理
硅太阳能电池发电原理
看一下光生伏打效应
是指物体由于吸收光子而产生电动势的现象,是当物体受光照时,物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应.严格来讲,包括两种类型:一类是发生在均匀半导体材料内部;一类是发生在半导体的界面.虽然它们之间有一定相似的地方,但产生这两个效应的具体机制是不相同的.通常称前一类为丹倍效应[1],而把光生伏打效应的涵义只局限于后一类情形.
当两种不同材料所形成的结受到光辐照时,结上产生电动势.它的过程先是材料吸收光子的能量,产生数量相等的正、负电荷,随后这些电荷分别迁移到结的两侧,形成偶电层.光生伏打效应虽然不是瞬时产生的,但其响应时间是相当短的.
[编辑本段]发现者
1839年,法国物理学家A. E. 贝克勒尔意外地发现,用两片金属浸入溶液构成的伏打电池,受到阳光照射时会产生额外的伏打电势,他把这种现象称为光生伏打效应.1883年,有人在半导体硒和金属接触处发现了固体光伏效应.后来就把能够产生光生伏打效应的器件称为光伏器件.
当太阳光或其他光照射半导体的PN结时,就会产生光生伏打效应.光生伏打效应使得PN结两边出现电压,叫做光生电压.使PN结短路,就会产生电流.
[编辑本段]光生伏打效应应用
当前,光生伏打效应主要是应用在半导体的PN结上,把辐射能转换成电能.大量研究集中在太阳能的转换效率上.理论预期的效率为24%.
由于半导体PN结器件在阳光下的光电转换效率最高,所以通常把这类光伏器件称为太阳能电池,也称光电池或太阳电池.