4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题

4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题 N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么? P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? 增强型P沟道MOS管当加适当电压（Ugs MOS管怎么区分N沟道和P沟道 增强型和耗尽型一样吗? n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那 功率场效应管P沟道MOS管和N沟道MOS管的区别? 关于在绝缘栅型场效应管中N 沟道增强型 MOS N 沟道增强型 MOS 场效应管中UDS > UGS – UT,UGD < UT时由于夹断区的沟道电阻很大,UDS 逐渐增大时,为什么导电沟道两端电压基本不变,ID 因而基本不变? P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通? N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的是模拟电子第三版,谁能给讲下 求P沟道MOS管,最大开启电压小于2V,导通内阻小于5mΩ,最大电流60A以上 请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺版图是怎样的. N沟道MOS管漏源之间加负电压是什么现象在正向开启的栅源电压下,给N沟道MOS管漏源之间加负电压,请问会有什么变化,可以产生回路吗?另一个问题,P沟道MOS 栅源电压为负,开启后,漏源电压为负, MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢? 怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道? 怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道? MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件