电磁场 如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区,在从ab边离

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/08 04:49:04

电磁场 如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区,在从ab边离
电磁场 如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区
如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区,在从ab边离开磁场的电子中,下列判断正确的是 （）双选!
A 从a点离开的电子速度最小
B 从a点离开的电子在磁场中运动时间最短
C 从b点离开的电子运动半径最小
D 从b点离开的电子速度偏转角最小
图为一个正方形。磁场垂直纸面向里。电子从下面一边中点射入磁场。
右上角为a点 右下角为b点

电磁场 如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区,在从ab边离
带电粒子在磁场中运动,洛伦兹力提供向心力,有qvB=mv2/R,得R=mv/Bq（或v=qBR/m）
同一电子,B也相同,故R越小,v也越小.从a点离开时半径最小（边长一半）.故A对.
由v=w*R=θ/t*R,带入v=qBR/m得t=θm/qB（熟悉后直接应用,不必推导）,从a点出来时,偏转最大（π）,故t最大.B错.
从b点离开时,半径最大（边长）,则v最大.C错.
从b点离开时,偏转角最小（为π/2）.故D对.

求图求真相，电子的速度方向是一定的吗

图是怎么样的啊

你的答案不对。BC是正确的。
画出入射点到a、b两点的圆弧，很明显从b点离开的电子运动半径最小，为边长的1/4，C对。
又R＝mV/qB，R小则V小，A错。
周期T＝2πm/qB，所有电子的周期都一样，但从b点离开的电子经过时间为T/2，从a点离开的电子不足T/2，所以从a点离开的电子在磁场中运动时间最短，B对。
按图可知，从b点离开的电子速度偏转角为180度，从a...

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你的答案不对。BC是正确的。
画出入射点到a、b两点的圆弧，很明显从b点离开的电子运动半径最小，为边长的1/4，C对。
又R＝mV/qB，R小则V小，A错。
周期T＝2πm/qB，所有电子的周期都一样，但从b点离开的电子经过时间为T/2，从a点离开的电子不足T/2，所以从a点离开的电子在磁场中运动时间最短，B对。
按图可知，从b点离开的电子速度偏转角为180度，从a点离开的电子速度偏转角肯定没有180度，D错。
请认真核对你的答案，应该我的分析是正确的，请采纳，谢谢。不明的请追问。

收起

没图呀

我目测了下下，AD是错误的，BC是正确的，，理由如下，A：由R=mv/Bq 可以看出，R与v正比，很明显，从a点出去的半径最大，v最大，A错；再看 B：所有从ab边离开的电子的圆心都在下面一边的线和延长线上，从a点出去的电子偏转角最小，故t=θm/qB   t最短 ，正确，C中 从b点离开的电子的半径为边长的四分之一，故最小，正确；D中从b点离开的电子的速度偏转角为π也就是180°，明显D错误，给你画一张图就明白

电磁场 如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区,在从ab边离 如图所示,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面为一正方形的匀强磁场区,在从ab边离开磁场的电子中,下列判断正确的是（） A．从b点离开的电子速度最大 B．从b点离开的电子在 如图,一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面是一正方形的匀强磁场,则A．电子的速率越大,在磁场中的运动轨迹半径越小B．电子的速率不同,在磁场中的运动周期也不同C．电子的速 一束电子以大小不同的速率垂直于一边飞入横截面是一个正方形的匀强磁场,则（ ）A.电子的速率越大,在磁场中运动的半径就越小B.电子的速率不同,在磁场中运动的周期也不同C.电子的速率不 矩形空间匀强电场电子运动题如图所示,在矩形空间ABCD存在匀强磁场,边长分别为（√3）a和a,方向如图,一束电子流以大小为v的初速度从A点沿AD方向垂直磁场射入,电子刚好从C点飞出.(电子的重 如图所示,a、b分别为x、y轴上两点,它们与原点O的距离相等,一束电子以初速度v0垂直于x轴从a点射入,由于匀强电场的作用,电子束恰好从b点射出,求电子从b点射出时的速度大小． 如图所示,a、b分别为x、y轴上两点,它们与原点O的距离相等,一束电子以初速度v0垂直于x轴从a点射入,由于匀强电场的作用,电子束恰好从b点射出,求电子从b点射出时的速度大小．答案是 根号5倍 如图所示,一束电子（电量为e）以速度v垂直磁感应强度为B,宽度为d的...如图所示,一束电子（电量为e）以速度v垂直磁感应强度为B,宽度为d的均强磁场中,穿透磁场时速度方向与电子原来入射方 一束速递不同的电子意思是什么,这些电子的电荷量与质量相同吗 如图所示,一束粒子从y轴上的M点以平行于x轴的方向射入第一象限区域,射入的速度大小是V,电子的质量是m,电荷量是e.为使电子束通过x轴上的N点,可在第一象限的区域加一个沿y轴正方向的匀强 电子以相同角速度不同半径圆周运动产生感应电流大小 电磁学,带电粒子在电磁场中的运动.求电子在电场方向的最大位移如图所示,某空间有沿y轴的均匀电场和沿x轴的均匀磁场,电场强度大小为E,磁感应强度大小为B.一个质量为m的电子在原点O从静 如图所示,在半径为ro的圆形区域内有匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直于纸面向外已知∠MAC=∠NAC=30°,有一束不计重力的质量为m、带电量为q的正电荷以大小不同的速度从A点沿直径AC方向 如图所示,一束电子（电量为e）以速度v垂直射入磁感应强度为B,宽度为d的匀强磁场中,穿透磁场时速度方向如图10所示,一束电子（电量为e）以速度v垂直射入磁感应强度为B,宽度为d的匀强磁场 如图所示,一束电子（电量为e）以速度v垂直射入磁感应强度为B,宽度为d的匀强磁场中,穿透磁场时速度方向如图10所示,一束电子（电量为e）以速度v垂直射入磁感应强度为B,宽度为d的匀强磁场 如图所示,一束电荷量为e的电子以垂直于磁场感应强度B并垂直于磁场边界的速度V射入宽度为d的匀强磁场中 [电子百科] 低频电磁场的屏蔽方法与高频电磁场的屏蔽方法的区别是什么? [电子百科] 低频电磁场的屏蔽方法与高频电磁场的屏蔽方法的区别是什么?