N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/05 19:33:55

N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态
N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态

N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态
例如,对于耗尽型n-MOSFET,在栅电压为0时即存在电子导电的沟道,就是线性导通状态；只有加上一定的栅极电压（负电压）后才能使沟道消失（整个沟道夹断）,这时的栅电压称为”夹断电压”Vp,也就是耗尽型FET的阈值电压,当“源漏电压Vds≥夹断电压Vp减去栅源电压Vgs”时,沟道即在靠近漏极处被夹断,晶体管就进入饱和导通状态,输出电流最大、并饱和,同时跨导也最高——放大工作区.
值得注意,FET在饱和状态时沟道的夹断与没有沟道是两回事.沟道在漏端被夹断后,并不是不能导电,因为夹断区实际上就是一个存在电场的耗尽区,只要载流子（多数载流子）一到达耗尽区边缘,就立即被电场扫到集电极而输出电流.所以,沟道在一端被夹断后的导电性能将更好（导电性决定于未被夹断的部分沟道）,这与完全没有沟道的截止状态完全不同.
对于JFET,其线性导通和饱和导通的情况与MOSFET的相同.

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